收藏本站
Electrical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
Switching Characteristics
t (on)
t d(on)
Turn-On Time
Turn-On Delay Time
-
-
-
23
77
-
ns
ns
t r
t d(off)
t f
t off
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
Turn-Off Time
V DD = 20V, I D = 35A
V GS = 10V, R GS = 1.5 Ω
-
-
-
-
24
75
17.9
-
-
-
-
147
ns
ns
ns
ns
Drain-Source Diode Characteristics
V SD
t rr
Q rr
Source to Drain Diode Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I SD = 35A
I SD = 15A
I F = 35A, di/dt = 100A/ μ s
I F = 35A, di/dt = 100A/ μ s
-
-
-
-
0.8
0.8
52
76
1.25
1.0
68
99
V
V
ns
nC
Notes:
1: Starting T J = 25 o C, L = 0.46mH, I AS = 64A.
2: Pulse width = 100s.
FDB8441 Rev.A2
3
www.fairchildsemi.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
FDB8442 MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
FDB8443 MOSFET N-CH 40V 120A TO-263AB
FDB8444 MOSFET N-CH 40V 70A TO-263AB
FDB8445 MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK
FDB8447L MOSFET N-CH 40V 15A D2PAK
FDB8453LZ MOSFET N-CH 40V 16.1A TO-263AB
FDB86102LZ MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK
FDB86135 MOSFET N-CH 100V D2PAK
相关代理商/技术参数
FDB8442 功能描述:MOSFET 40V N-Ch PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB8442_10 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 40V, 80A, 2.9m??
FDB8442_F085 功能描述:MOSFET 40V NCHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB8443 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB8443_11 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 40V, 80A, 3.0m??
FDB8443_F085 功能描述:MOSFET 40V N-CHAN PwrTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB8444 功能描述:MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FDB8444_10 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 40V, 70A, 5.5m??